对一个大单轴磁各向异性镍(Ⅱ)配合物中的磁跃迁的直接观察

最近Ruamps和同事发现三角双锥构型的Ni（Ⅱ）配合物[Ni（Me₆tren）Cl]ClO₄（1，Me₆tren=tris（2-（dimethylamino）ethyl）amine）具有大的单轴磁各向异性（J.Am.Chem.Soc.，2013，135：3017-3026）。他们利用HF-EPR研究获得横向零场分裂（ZFS）参数E=1.56（5）cm^-1但未能确定轴向零场分裂参数D。在本工作中，我们利用0~17.5 T和5 K的变磁场远红外光谱（FIRMS）来检测自旋基态S=1中的M_S=±1和M_S=0态之间的磁跃迁。在FIRMS中直接观察到Zeeman分裂态之间的跃迁，得出轴向ZFS参数D=-110.7（3）cm^-1。我们对1的晶体结构进行了Hirshfeld表面分析，揭示了1分子中的阳离子与阴离子之间以及分子之间的相互作用。     

金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程

金属氧化物薄膜如HfO₂（被称为高k电介质）是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机（平板电脑,笔记本电脑和台式机）、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数（k）的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO₂（k=3.9）,从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）中被广泛用作前体,通过与O₂、H₂O或O₃的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d⁰过渡金属配合物与O₂反应的研究。     

金属氧化物与现代微电子学:过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程

金属氧化物薄膜如HfO₂（被称为高k电介质）是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机（平板电脑,笔记本电脑和台式机）、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数（k）的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO₂（k=3.9）,从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）中被广泛用作前体,通过与O₂、H₂O或O₃的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d⁰过渡金属配合物与O₂反应的研究。     

胍基锆酰胺配合物与四氯化碳的反应生成氯化锆胍基衍生物

四氯化碳与Zr（NMe₂）₂[ⁱPrNC（NMe₂）NⁱPr]₂（1）反应先生成中间体ZrCl（NMe₂）₂[ⁱPrNC（NMe₂）NⁱPr]₂（2）,然后生成ZrCl₂[ⁱPrNC（NMe₂）NⁱPr]₂（3）。该反应可能是自由基反应。另外,配合物2可由ZrCl（NMe₂）₃与二异丙基碳二亚胺ⁱPr-N=C=N-ⁱPr反应制备。对配合物2进行了核磁共振（NMR）和元素分析。